978-620-2-67964-0

Фотоэлектрические свойства гетероструктур CdTe/CdS

Regular price
€35,90
Sale price
€35,90
Regular price
Sold out
Unit price
per 
Shipping calculated at checkout.

Summary:

Известно, что при изготовлении гетеропереходов на гетерогранице часто формируется высокомный i – слой вследствие взаимной диффузии атомов одного полупроводника в другой. Такой слой впервые наблюдался на гетеропереходах Cu2S/CdS [34,35], и в настоящее время аналогичный результат получен для многих других типов гетеропереходов: на тонкопленочном солнечном элементе на основе CdS [36], изготовленном напылением слоев Cu, гетеропереходе nZnSe/рGaAs [37] из-за диффузии Ga в ZnTe и вакансии Zn, на контакте Al-CuInSe2 [38] и др.О наличии высокоомного слоя на гетерогранице можно узнать многими экспериментальными методами, как вольтфарадная характеристика, релаксация емкости, спектральная зависимость фототока, электронно-микрозондовый анализ и др. Образование на гетерогранице перекомпенсированного или инверсного слоя следует из обнаружения дополнительного гомоперехода, который определяется из измерении спектрального отклика квантовой эффективности, эффекты Холла, ВАХ и токов, индуцированных электронным пучком.

Author:

Султанпаша Анваровна Музафарова

Biographie:

Музафарова Султанпаша Анваровна - Кандидат физико-математических наук - с.н.с. лаборатории «Фотоэлектроника» ФТИ «Физика Солнца» АН УзР 1984 г., Отличник народного образования - 1997 г., Заслуженный наставник молодёжи Узбекистана - 2009 г.. Автор более 180 статей, тезисов, авторских изобретений.

Number of Pages:

52

Book language:

Russian

Published On:

2020-07-14

ISBN:

978-620-2-67964-0

Publishing House:

LAP LAMBERT Academic Publishing

Keywords:

структура, фотоэлектрические свойства

Product category:

SCIENCE / Chemistry / Physical & Theoretical